PRODUCTO:

NVME PCIe-3 512GB 2280
3200/2000
NE-512

NVME Rev.1.3
flash NAND 3D NAND Factor de forma M.2, PCI-e Gen3 x4
Tensión de entrada 3.3V DC
Opción de capacidad 512GB
Lectura secuencial 1500-3200MB / s
Escritura secuencial 500-2000MB / s
MTBF 1 millón de horas
TBW 250
Dimensiones Largo 80.0 mm * Ancho 22.0 mm * Alto 2.1 mm
Garantía 3 años
Temperatura de almacenamiento. -20 ～ + 75 ℃
Temperatura de funcionamiento. 0 ～ + 70 ℃